半导体静态参数测试系统

一款测量与分析功率半导体器件静态参数的专用仪器,为所有类型的功率半导体器件提供静态参数测量解决方案。

分类:

描述

半导体静态参数测试系统能在 3kV(可扩展为 10kV)和 2200A 的条件下实现精确测量、分析功率半导体器件的静态参数,具有快脉冲能力,以及亚 pA 级电流检测能力,并具有优异的宽电压和电流测量能力。

被测对象及主要测试参数如下:

被测对象 主要测试参数 
分立器件 Id-Vg,Id-VdIc-Vc,二极管
双极 Ic-Vc、二极管、Gummel 图、击穿、hfe、电容
Coms Id-Vg、Id-VdVth、击穿、电容、QSCV
内存 Vth、电容、耐久测试等。
MOSFET Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,电容
IGBT Ic-Vce,Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),击穿
太阳能电池 I-V、Cp-V、奈奎斯特图、DLCP 等。
纳米器件 电阻、Id-VgId-VdIc-Vc等。
GaN FET 电流衰减、Id-Vds 电流衰减、二极管电流